半导体刻蚀工艺（1）
CF类含氟碳（以CF₄为核心）等离子体刻蚀是半导体Si基氧化层（SiO₂、SiON等）的主流干法微纳加工工艺，其原理为：等离子体解离CF₄生成F⁻、CFₓ⁺（x=1~3）等活性粒子，F⁻与氧化层反应生成挥发性SiF₄实现去除；通过添加O₂/N₂等调控F/C比，可沉积聚合物钝化侧壁保障各向异性，避免硅衬底损伤，工艺控制核心为F/C比，辅以功率、气压优化，广泛应用于STI浅槽隔离回刻、存储/逻辑器件的栅/介质氧化层刻蚀。...
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